新闻中心
09.28
2025
半导体制造过程中,微小的静电放电可能导致芯片击穿或性能退化,因此设备内部的静电防护至关重要。ZTA陶瓷结构件凭借其独特的物理特性,成为构建可靠防静电体系的重要材料选择。 ZTA陶瓷具有优异的绝缘性能,能够有效阻断电荷传导路径。在半导体设备的关键部位,如晶圆传输机构、真空腔体支撑件等,采用ZTA陶瓷制成的结构件可形成物理隔离层,防止静电荷在不同导体间积累转移。这种材料的介电常数稳定,即使在高温或高湿环境下,仍能维持良好的绝缘特性。 该材料的高致密度与光滑表面特性,进一步降低了静电吸附风险。经过精密抛光处理的ZTA陶瓷部件,表面粗糙度极低,减少了灰尘与微粒附着的可能性。这在洁净车间环境中尤为重要,因为颗粒物可能携带电荷并引发局部放电现象。 在设备运行过程中,ZTA陶瓷结构件还能发挥被动耗散静电的作用。其晶体结构中的离子导电机制,可将缓慢积累的表面电荷逐步导入接地系统,避免瞬间放电对敏
09.17
2025
在半导体设备制造领域,材料可靠性直接决定设备寿命与晶圆良率。ZTA(氧化锆增韧氧化铝)陶瓷结构件因其独特的材料特性,正在逐步替代传统金属部件。这种陶瓷材料通过氧化锆相变增韧机制,在保持高硬度的同时显著提升断裂韧性,使其能够适应半导体设备严苛的工况要求。 半导体设备对结构件的要求主要体现在三个方面:首先是洁净度控制,ZTA陶瓷结构件经抛光处理后表面粗糙度可控制在Ra0.05μm以内,有效减少颗粒污染;其次是尺寸稳定性,在300℃工况下其热膨胀系数为8.5×10⁻⁶/℃,与相邻金属部件的热匹配性优于单一氧化铝陶瓷是耐腐蚀性,实验数据显示在等离子体环境中,ZTA陶瓷的蚀刻速率比铝合金低两个数量级。 针对半导体应用的可靠性验证包含四个关键测试环节。环境模拟测试通过加速老化实验,验证结构件在混合气体(Cl₂/HBr/O₂)环境中的抗腐蚀性能;机械疲劳测试模拟设备连续运行的振动条件,要求经过1
09.10
2025
在工程陶瓷材料领域,ZTA陶瓷结构件因其独特的材料组成而占据重要地位。这种由氧化锆增韧氧化铝构成的复合材料,通过相变增韧机制显著提升了传统氧化铝陶瓷的机械性能。与常规陶瓷材料相比,ZTA陶瓷结构件在保持氧化铝陶瓷良好化学稳定性的同时,其断裂韧性提高了约2-3倍。这种性能提升主要源于氧化锆颗粒在应力作用下发生的马氏体相变,能够有效阻碍裂纹扩展。 常见结构陶瓷主要分为氧化铝陶瓷、氮化硅陶瓷和碳化硅陶瓷三大类。氧化铝陶瓷具有成本优势但韧性不足,氮化硅陶瓷耐热性能突出而加工难度较大,碳化硅陶瓷硬度极高却存在脆性问题。ZTA陶瓷结构件通过材料复合技术,在氧化铝基体中均匀分散10-20%的氧化锆颗粒,既保持了基体材料的成本优势,又通过氧化锆的相变增韧作用改善了脆性。这种复合结构使ZTA陶瓷结构件在耐磨部件、切削工具等应用中展现出更好的综合性能。 从微观结构观察,ZTA陶瓷结构件中的氧化锆颗粒以
08.29
2025
ZTA陶瓷结构件和氧化铝陶瓷常被拿来比较。这两种材料虽然都属于陶瓷范畴,但在成分、性能和应用场景上存在显著差异。 ZTA陶瓷(氧化锆增韧氧化铝陶瓷)是在氧化铝基体中添加氧化锆形成的复合材料。氧化铝陶瓷则是以α-氧化铝为主晶相的传统陶瓷。这种成分差异直接影响了材料的微观结构——ZTA陶瓷中的氧化锆颗粒能有效阻碍裂纹扩展,这使得它的断裂韧性通常比纯氧化铝陶瓷提升约2-3倍。在实际应用中,这种特性表现为ZTA陶瓷结构件在受到冲击载荷时更不易碎裂。 从物理性能来看,氧化铝陶瓷的硬度略高于ZTA陶瓷,这使其在需要高表面硬度的场合更具优势。但ZTA陶瓷由于氧化锆的相变增韧机制,在相同厚度条件下往往表现出更好的抗热震性能。当工作环境存在温度剧烈波动时,ZTA陶瓷结构件出现开裂的风险相对更低。 耐磨性方面需要分情况讨论。在低应力磨损工况下,氧化铝陶瓷的磨损率可能更低;但在高应力或存在冲击的磨损环
2025-09-28
ZTA陶瓷结构件在半导体制造设备的静电防护作用

2025-09-17
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